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本发明揭示了一种阻挡层的去除方法，该阻挡层包括至少一层钌或钴，该阻挡层的去除方法包括：采用热流蚀刻方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上包括钌或钴层的阻挡层。本发明还进一步揭示了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一半导体结构，该半导体结构...
该专利属于盛美半导体设备(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛美半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。

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