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本发明提供一种半导体基板，其中，在使用外延生长法在Si基板上形成III族氮化物半导体层的情况下，满足该III族氮化物半导体层要求的耐电压等特性，并且，在确保薄膜电阻等物性值的面内均匀性的同时翘曲量小。本发明提供一种半导体基板，其中，硅基板上...
该专利属于住友化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友化学株式会社授权不得商用。

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