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一种氮化物半导体衬底(1)的制造方法，包括：准备工序(S10)，准备蓝宝石衬底(2)；以及缓冲层形成工序(S16)，在蓝宝石衬底(2)上形成AlN缓冲层(3)，缓冲层形成工序(S16)，包括：III族氮化物半导体形成工序(S16a)，在蓝宝...
该专利属于国立大学法人三重大学所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人三重大学授权不得商用。

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