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在一个例子中，本发明提供一种用于生长第III族氮化物的厚层的衬底。所述衬底具有经制备用于第III族氮化物的外延生长的第一表面和与所述第一表面相对、具有多个凹槽的第二表面。本发明还提供一种使用有槽衬底产生第III族氮化物的厚层或块状晶体的方法...
该专利属于希波特公司;首尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过希波特公司;首尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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