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本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，涉及液晶面板加工技术领域，解决了现有技术中存在的低温多晶硅的生产过程中容易产生晶界缺陷的技术问题。低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法通过采用先在栅绝缘层上形成氧化硅介电层、后在氧化硅介电层上形成氮...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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