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本发明公开了一种具有多凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法，目的在于提高场效应晶体管的击穿电压和跨导参数，改善直流特性。采用的技术方案为：对4H‑SiC半绝缘衬底进行清洗；外延生长SiC层并原位掺杂乙硼烷形成P型缓冲层；...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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