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本发明揭示通过栅极自对准结改进结分布的替代体FINFET，在位于牺牲栅极结构的相对侧上的半导体的部分上形成外延半导体层以后，将来自该外延半导体层的掺杂物扩散进入该半导体鳍片中，以形成含掺杂物半导体鳍片。移除牺牲栅极堆叠，以设置暴露该含掺杂物...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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