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本发明公开了一种沟槽型超级结的制造方法，包括步骤：提供表面形成有第一导电类型的第一外延层的晶圆；采用光刻工艺定义出沟槽的形成区域；进行刻蚀形成所述沟槽；在沟槽内形成第二外延层；在沟槽中填充第三外延层且不将沟槽完全填充；形成第四介质层将沟槽完...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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