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描述了用于改进在高频率和/或高功率下工作的集成半导体晶体管的性能的方法和结构。两个电容器可以被连接到半导体晶体管的输入并且被调谐以抑制第二谐波产生并且转换和匹配所述器件的输入阻抗。描述了两个阶段的调谐过程。晶体管可以含有氮化镓并且可以配置为...
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