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本发明提供了一种超低正向电压整流器芯片的制备方法，涉及整流器技术领域。所述制备方法包括如下步骤：原硅片清洗；排纸源；预沉积；磷分片；第一次喷砂；磷源再推进；去氧化层；涂硼；硼扩散；硼分片；第二次喷砂；氧化；匀胶、曝光；沟槽腐蚀；玻璃钝化；镀...
该专利属于扬州虹扬科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州虹扬科技发展有限公司授权不得商用。

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