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本发明公开了一种功率半导体芯片,该芯片的光刻版及其曝光方法,方法包括:根据曝光场大小将大尺寸芯片划为两个以上的区域单元,根据芯片类型分为边角、边缘或中心区域单元的任一种,同一类型区域单元图形一致;将区域单元组合成光刻版,光刻版包括由芯片划分...该专利属于株洲中车时代电气股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种功率半导体芯片,该芯片的光刻版及其曝光方法,方法包括:根据曝光场大小将大尺寸芯片划为两个以上的区域单元,根据芯片类型分为边角、边缘或中心区域单元的任一种,同一类型区域单元图形一致;将区域单元组合成光刻版,光刻版包括由芯片划分...