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本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及到一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱环、压制固相支撑层、压制液相源先驱块、压制Yb2O3支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装...
该专利属于陕西师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过陕西师范大学授权不得商用。

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