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本发明公开了一种拓扑绝缘体Bi2Se3/FeSe2异质结构薄膜的制备方法，其步骤主要是：a、FeSe基膜的制备：在基片上磁控溅射形成FeSe基膜；b、FeSe2退火成相：将a步得到的基片和硒粒一起封入气压小于1×10...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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