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本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种半导体CuGaS2六边形片状纳米晶体的制备方法。本发明采用水热法合成出边长为2~5微米、厚度在300纳米以内的CuGaO2六边形片状晶体，用硫化的工艺硫化成四方晶系的CuGaS2六边形片状晶体。该材料...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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