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存储器单元、半导体装置及制造方法制造方法及图纸
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文档序号:16008573
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磁性单元包含磁性区域、次要氧化物区域及吸气剂晶种区域。在形成期间,扩散性物质由于由吸气剂物质引起的化学亲和力而从前体磁性材料转移到所述吸气剂晶种区域。所述磁性材料的耗尽使得所述耗尽磁性材料能够在无来自现在为富集的所述吸气剂晶种区域的干扰的情...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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