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功率器件及制备方法技术
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文档序号:16000342
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本发明涉及到一种可实现电压切换的电源管理装置,尤其是涉及到低端MOSFET晶片和高端MOSFET晶片并集成控制IC的电压转换装置及其制备方法。一个第一晶片倒装在第一安装区域,第一晶片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊盘对接;一个第二晶片倒...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。
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