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本发明公开了垂直阵列纳米柱薄膜体声波谐振器，依次包括硅衬底、空腔和压电堆叠结构，所述空腔形成于硅衬底和压电堆叠结构之间；所述压电堆叠结构包括底电极、压电材料纳米柱阵列、纳米柱侧壁隔离层、制作在纳米柱侧壁隔离层外的间隙填充层、顶电极。本发明的...
该专利属于佛山市艾佛光通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市艾佛光通科技有限公司授权不得商用。

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