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本发明公开了一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法，该方法针对外延SOI外延层进行电阻率的测量，为了达到测量精准的效果，首先对外延SOI表面进行特定的预处理，使表面的缺陷及电学参数达到所需要求。再施加特定电压，根据C-V曲线算出...
该专利属于沈阳硅基科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳硅基科技有限公司授权不得商用。

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