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本发明公开了半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体结构；去除各第一组鳍片的未被其栅极结构覆盖的露出部分的至少一部分；在各第一组鳍片的剩余部分上执行第一外延生长，形成第一外延体；对第一外延体执行第一退火处理，使得第...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。