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本实用新型公开一种改进的半导体制冷器,包括半导体制冷片,半导体制冷片由上基板和下基板,以及阵列设置在上基板和下基板之间的多组P‑N结半导体组成,所述上基板和下基板的边缘处按设置有密封环绕层,上基板和下基板之间的密封环绕层内设置有真空绝缘区域...该专利属于佛山市顺德区奥达信电器有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过佛山市顺德区奥达信电器有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开一种改进的半导体制冷器,包括半导体制冷片,半导体制冷片由上基板和下基板,以及阵列设置在上基板和下基板之间的多组P‑N结半导体组成,所述上基板和下基板的边缘处按设置有密封环绕层,上基板和下基板之间的密封环绕层内设置有真空绝缘区域...