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本发明公开了一种常压可控制备大面积p型层状GaTe纳米片自组装纳米花的方法，其工艺步骤如下：a)在蓝宝石衬底上制备一层形状为纳米花的ZnO薄膜，作为GaTe生长过程中的种子层；b)将准备好的前驱体样品放入管式炉中，在常压、高纯氩气的环境中生...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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