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本发明提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其掺杂有杂质；正面侧电极，其设置于半导体基板的正面侧；以及背面侧电极，其设置于半导体基板的背面侧，半导体基板具有：峰区域，其配置于半导体基板的背面侧，且杂质浓度具有1个以上的峰；高浓度区，其配置位...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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