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提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳...
该专利属于东洋炭素株式会社;学校法人关西学院所有，仅供学习研究参考，未经过东洋炭素株式会社;学校法人关西学院授权不得商用。

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