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提供一种离子束蚀刻方法，由此可以在不会使装置大型化的情况下，即使在低入射角静止条件下也能够进行高度均一的IBE处理。该离子束蚀刻方法包括以下步骤：改变开口部相对于基板的位置；使用通过所述开口部的离子束来蚀刻所述基板；以及随着所述离子束入射到...
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