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本发明提供一种外延晶片，其特征在于，具有：硅系基板；第一缓冲层，配置于硅系基板上，具有第一多层结构缓冲区域与第一插入层，前述第一多层结构缓冲区域由AlxGa1‑xN层与AlyGa1‑yN层交互配置而成，前述第一插入层由比AlyGa1‑yN层...
该专利属于三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司授权不得商用。

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