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本发明提供III族氮化物衬底，其具有非极性或半极性平面的第一侧和具有一个以上埋藏的金属条带的第二侧，其中所述条带垂直于III族氮化物的c轴。在金属条带上存在大于90％的堆叠缺陷。第二侧可暴露非极性或半极性平面。本发明还揭示具有非极性或半极性...
该专利属于希波特公司;首尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过希波特公司;首尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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