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本发明提供一种屏氧气性优良的屏蔽性薄膜。本发明的屏蔽性薄膜１０，在基质材料１１的一个面上，具有通过底涂层１３，由含有有机链和两末端能性硅烷单体和硅烷化合物形成的被复层１２，在其另一面上具有表皮层１４，该薄膜在２０℃、４０、６０和８０％ＲＨ时...
该专利属于株式会社日本触媒;大赛璐化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日本触媒;大赛璐化学工业株式会社授权不得商用。

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