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本发明公开了一种具有腔面非注入区结构的半导体激光器制作方法，其主要步骤包括：（1）在半导体激光器外延片正面制作带状p型欧姆接触；（2）依次刻蚀获得条形p型欧姆接触和脊型波导结构；（3）沉积绝缘介质并制作电注入窗口；（4）制作p型欧姆接触的加...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

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