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本发明提供一种半导体存储器件及其制作方法，于半导体衬底上形成有源区、垂直交错的字线及位线、第一、第二绝缘层，位线间填充有隔离材料；刻蚀形成接触窗以及位于第一绝、第二绝缘层上的缺口；于接触窗及缺口内填充导电材料并回刻使得导电材料低于第一绝缘层...
该专利属于合肥智聚集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥智聚集成电路有限公司授权不得商用。

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