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本发明公开了一种基于光电耦合忆阻器的人工突触器件及其调制方法,该人工突触器件包括上电极、下电极以及位于上、下电极之间的功能材料层，上电极、功能层材料及下电极共同形成三明治结构；其中，功能材料层由具有光电导效应的材料制成，下电极为透明导电电极...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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