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本发明公开了一种深紫外LED外延结构及其制备方法。它包括衬底，所述衬底上生长成核层，成核层上生长缓冲层，所述缓冲层上依次生长有n型AlGaN层、周期性结构AlaGa1‑aN/GaN电流扩展层、周期性结构AlbGa1‑bN/AlcGa1‑cN...
该专利属于中蕊（武汉）光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中蕊（武汉）光电科技有限公司授权不得商用。

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