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本发明公开了一种采用铝硅共晶薄膜辅助干法刻蚀制备黑硅层的方法，所述方法的步骤为：1）提供硅片；对硅片表面进行清洗；2）硅片上用于制作黑硅层的区域记为操作区；采用电子束蒸发镀膜工艺或磁控溅射镀膜工艺，在操作区表面生长铝硅共晶薄膜；3）采用等离...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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