温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及光电子和微电子制造领域，特别是涉及一种用于光子探测的半导体光电倍增器件的制造方法。本发明通过外延、淀积、刻蚀、介质槽填充等工艺步骤，形成了一种具有透明电容结构的半导体光电倍增器件，透明电容结构位于器件的光敏区上方，在不降低器件填充...
该专利属于武汉京邦科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉京邦科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。