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金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法技术
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文档序号:15879553
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本发明公开了一种金刚石基常关型场效应晶体管,包括金刚石衬底,上设置有单晶金刚石外延薄膜,单晶金刚石外延薄膜的表面设置有源区以及包围有源区的器件隔离区,有源区为二维空穴气,有源区的上方依次间隔设置有源极、栅极和漏极,有源区的表面设置有导电沟道...
该专利属于西安交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安交通大学授权不得商用。
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