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本发明提供一种半薄硅层结构的横向高压器件，其元胞结构包括衬底、埋氧层、超薄顶层硅、厚SOI层、厚介质层、P型体区、P型重掺杂体接触区、N型重掺杂源极区、N型重掺杂漏极区、栅氧化层、源极接触电极、多晶硅栅、漏极接触电极和衬底接触电极，本发明采...该专利属于电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。