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本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，包括：半导体衬底，形成于半导体衬底上的多个像素区域，形成于相邻像素区域之间半导体衬底中的深沟槽，在深沟槽中填充有掺杂第一导电类型杂质的多晶硅，在半导体衬底中对应像素区域内形成有多个具有第二导电类...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。