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本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层和位于层间介电层内的沟槽，所述沟槽暴露出所述半导体衬底；在沟槽的侧壁和底部依次形成高k介电层和功函数设定金属层；形成金属栅极材料层...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。