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本发明公开了一种磁控管用冷阴极结构，包括底金属杆、套设于底金属杆一端的上屏蔽帽与下屏蔽帽、以及设置于上屏蔽帽和下屏蔽帽之间的冷阴极发射体，该冷阴极发射体包括交替设置的一次发射体和二次发射体，一次发射体位于该冷阴极发射体的两端。本发明还公开了...
该专利属于中国电子科技集团公司第十二研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十二研究所授权不得商用。

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