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在GaN的错切上生成的光电子装置，其中所述错切包括在GaN的c‑方向且与GaN的m‑平面错切x度的(GaN的)半极性GaN晶体平面，其中‑15<x<‑1和1<x<15度。...
该专利属于加利福尼亚大学董事会所有，仅供学习研究参考，未经过加利福尼亚大学董事会授权不得商用。

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