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本发明涉及半导体器件设计领域，针对现有技术存在的问题，本发明提供一种光控IGBT实现方法及装置。采用激光脉冲控制栅极下方半导体材料中导电沟道的形成，控制IGBT的通断，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本发明在IGBT 的栅...
该专利属于中国工程物理研究院流体物理研究所;李博婷所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院流体物理研究所;李博婷授权不得商用。

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