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本发明实施例公开了一种基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备,该方法应用于NAND存储设备,所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元,每条字线分别与对应的存储器单元连接,其中,所述字线包括虚拟字线和数据字线,每组...该专利属于北京兆易创新科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京兆易创新科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明实施例公开了一种基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备,该方法应用于NAND存储设备,所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元,每条字线分别与对应的存储器单元连接,其中,所述字线包括虚拟字线和数据字线,每组...