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本发明属于半导体薄膜领域，具体涉及一种磷酸钴改性BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种磷酸钴(Co‑Pi)改性BFO薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光辅助电化学沉积法在溶胶凝胶法制备的BFO薄膜表面上沉积负载...
该专利属于中国计量大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国计量大学授权不得商用。

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