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本发明公开了种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的方法，该方法如下：使用高温高压蒸汽冲击浸润该CVD反应腔体内壁沉积膜，并且蒸汽温度导致沉积膜和腔体产生热失配应力，导致沉积膜的脱落。该方法方便高效、且能有效避免清洗时将腔体刮伤。...
该专利属于王宏兴所有，仅供学习研究参考，未经过王宏兴授权不得商用。

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