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本发明公开了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：衬底结构，该衬底结构包括衬底；在该衬底上的鳍片式结构，该鳍片式结构包括半导体层；包绕鳍片式结构的一部分表面的栅极绝缘物和位于栅极绝缘物上的栅极；分别位于栅极两侧的在半导体层中的源极和漏极...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。