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本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供上部形成台阶状的突出部分的半导体衬底；依次形成栅极介电层、牺牲氮化物层、牺牲氧化层和仅遮蔽突出部分之间部分的第一光刻胶层；依次蚀刻未被遮蔽的牺牲氧化层和牺牲氮化物层，直至露出...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。