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本发明公开了一种硅外延片及其制备方法，涉及半导体器件的制造或处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在硅衬底的上表面直接生长一层低阻外延层；在所述低阻外延层的上表面每5μm ‑10μm生长一层线性渐变外延层，生长时计算所述渐变外延层的线性阻...
该专利属于河北普兴电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北普兴电子科技股份有限公司授权不得商用。

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