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本发明提供一种多外延半导体器件及其制造方法，其元胞结构包括衬底、外延层、STI隔离、P阱、P型重掺杂区，N型重掺杂区，DMOS源电极，第一P阱的接触电极，DMOS栅电极，PMOS栅电极，NMOS栅电极，源电极，漏电极，BJT基极电极，BJT...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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