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本发明公开了一种考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法，通过引入了寄生元件的温度模型，使射频MOS器件模型的拟合更加准确，通过迭代调整寄生元件温度模型的相关参数及本征模型温度的相关参数，可使不同温度下的器件直流数据及射频条件下的关键指标均能...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。