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本发明公开了一种基于有机溶液的有机单晶生长装置，所述的生长装置在精确控温的条件下，针对低沸点有机物为溶剂时的晶体生长，从生长装置的结构上抑制有机溶液的溶剂挥发，通过控制溶剂挥发和降温速率来控制溶质在溶剂中的过饱和状态，从而实现单晶体的生长。...
该专利属于中国工程物理研究院核物理与化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院核物理与化学研究所授权不得商用。

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