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本发明公开了一种在SiC MOSFET单相H桥逆变器中加入铁氧体磁珠从而提高系统稳定性与降低损耗的方法，包括：铁氧体磁珠的安放位置选择方法；铁氧体磁珠的数目选取方法。SiC MOSFET单相H桥电路包括：直流电源、直流侧滤波电容、驱动信号产...
该专利属于中国矿业大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国矿业大学授权不得商用。

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